Homray Material Technology: Suzhou, Jiangsu, China; Основные продукты: Производители подложек GaN , Поставщики пластины GaN , Производители пластины GaN на сапфире , Производители подложек SiC , Поставщики пластины SiC , Поставщики эпитаксиальной пластины GaN на Si , Поставщики эпитаксиальной пластины GaN на SiC , Поставщики эпитаксиальной пластины GaN на кремнии

Главная
Категории товаров

Кремниевые пластины

Силицид-карбидный кристаллический диск

Галлийнитрид
Профиль компании

Презентация компании

Фотогалерея
Контроль качества
Свяжитесь с нами

Главная > Продукты > Галлийнитрид > Производитель эпитаксиальных пластин GaN HEMT на подложке кремния для радиочастотных применений

Производитель эпитаксиальных пластин GaN HEMT на подложке кремния для радиочастотных применений

Цена FOB

Договороспособный / Piece

10 Pieces(Мин.заказ)

Порт SHANGHAI
Условия оплатыT/T

Запросить образец Персонализированный запрос Запросить Бесплатные Каталоги

Свяжитесь сейчас

Получить наименьшую цену

Описание продукта

Производитель эпитаксиальных пластиков GaN HEMT на кремниевой подложке для радиосигналов

HMT производит и поставляет эпитаксиальные пластины GaN-on-Si диаметром 100 мм, 150 мм и 200 мм с гетероэпитаксиальной структурой слоев AlGaN/GaN, выращенной на кремниевой подложке (111), для силовых и радиосигнальных применений.

Homray Material Technology предлагает эпитаксиальные пластины GaN HEMT с высокой производительностью и высоким качеством, обладающие следующими характеристиками:

Высокая однородность эпитаксиальных слоев

Высокое напряжение пробоя и низкий ток утечки

Отличные свойства двумерного электронного газа(2DEG)

Низкие потери радиосигналов, достигаемые благодаря оптимизированным технологиям роста межслойных переходов

Чистая поверхность с минимальным количеством частиц, что обеспечивает высокий выход годных при производстве устройств.

Свяжитесь с нами

Homray Material Technology: Имя контактаTina Chang
Начать чат; Телефон86-512-67078567; Адрес60 Suli Road, Suzhou, Jiangsu

*Электронная почта
Пожалуйста, введите свою действительную адрес электронной почты.
*К

Tina Chang
*Сообщение
Содержание вашего запроса должно быть от 20 до 5000 символов.
Пожалуйста, введите правильный код подтверждения.